Neueste MOSFETs – Mouser Deutschland

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STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

03.31.2026

- Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

STMicroelectronics MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

07.22.2024

- 800 V, durch Zener-Diode geschützt, zu 100 % Avalanche-getestet und ideal für Sperrwandler und LED-Beleuchtung.

STMicroelectronics STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

12.01.2023

- Sie sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V.

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET

10.01.2023

- Verwendet MDmesh K6-Technologie auf Basis von 20 Jahren Erfahrung im Bereich der Superjunction-Technologie.

STMicroelectronics SH63N65DM6AG Leistungs-MOSFET

08.18.2023

- Automotive-grade N-channel MDmesh DM6 half‑Brückentopologie-Leistungs-MOSFET mit 650 V Sperrspannung.

STMicroelectronics STL120N10F8 100-V-n-Kanal-STripFET-MOSFET

05.08.2023

- Das Bauelement nutzt die STripFET-F8-Technologie von ST, die eine verbesserte Trench-Gate-Struktur aufweist.

STMicroelectronics STD80N450K6 800 V 10 A MDmesh-K6-Leistungs-MOSFET

01.25.2023

- Hochspannungs-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Zener-Schutz und 100 % Avalanche.

STMicroelectronics STP80N450K6 800-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

10.19.2022

- Hochspannungs-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mit der ultimativen MDmesh-K6-Technologie ausgelegt ist.

STMicroelectronics STL325N4LF8AG N-Channel Leistungs-MOSFET

06.24.2022

- Nutzt die STRipFET F8 Technologie und bietet einen verbesserten Trench GATE Aufbau.

STMicroelectronics STL320N4LF8 N-Kanal STripFET F8 Leistungs-MOSFET

06.21.2022

- Hergestellt mit STRipFET F8 Trench-MOSFET-Technologie.

STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9 Leistungs-MOSFET

05.27.2022

- Für Mittel-/Hochspannung mit sehr niedrigem RDS(on) pro Fläche in Verbindung mit einer Fast-Recovery-Diode.

STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9 Leistungs-MOSFET

05.25.2022

- Entwickelt für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS(on) pro Fläche.

STMicroelectronics STD80N240K6 800 V 16 A MDmesh K6 Leistungs-MOSFET

05.04.2022

- Mit einer ausgezeichneten RDS(on) x Fläche und einem niedrigen Qg werden hohe Schaltgeschwindigkeiten und geringe Verluste erreicht.

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Filtern nach:

onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

04.14.2026

- Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET

04.06.2026

- Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.

STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

03.31.2026

- Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs

03.31.2026

- Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter, DC/DC-Wandler und Motortreiber.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal

03.27.2026

- Anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V

03.27.2026

- Bietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03.24.2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs

03.17.2026

- Hierbei handelt es sich um N-Kanal-MOSFETs mit normalem Pegel 80 V oder 100 V und sehr niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].

onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

03.13.2026

- Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03.06.2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs

03.05.2026

- Normalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02.19.2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

02.02.2026

- Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

12.23.2025

- Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi NVD6824NL Einzel-n-Kanal-MOSFETs

11.20.2025

- Die Bauteile bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit.

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