MRF300 Referenzschaltungen

Die MRF300 Referenzschaltungen von NXP unterstützen die MRF300AN LDMOS-HF-Leistungstransistoren, indem das gleiche PCB-Layout genutzt wird. Diese Referenzschaltungen ermöglichen den HF-Entwicklern die Generierung von neuen Leistungsverstärkern für verschiedene Frequenzen bis zu 250 MHz. Der MRF300AN LDMOS-Transistor arbeitet bei einer CW-Leistung von 360 W (26,1 dB Verstärkung), wenn die Leiterplattenfrequenz 27 MHz beträgt. Dieser Transistor arbeitet bei einer CW-Leistung von 345 W (27,3 dB Verstärkung), wenn die Boardfrequenz 40,68 MHz beträgt.

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NXP Semiconductors RF-Entwicklungstools MRF300AN 50 MHz Reference Circuit 1Auf Lager
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Reference Design Boards RF Transistor MRF300AN 50 MHz
NXP Semiconductors RF-Entwicklungstools MRF300AN 230 MHz Reference Circuit 1Auf Lager
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Reference Design Boards RF Transistor MRF300AN 230 MHz
NXP Semiconductors RF-Entwicklungstools MRF300AN 81.36 MHz Reference Circuit
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Reference Design Boards RF Transistor MRF300AN 81.36 MHz
NXP Semiconductors RF-Entwicklungstools MRF300AN 13.56 MHz Reference Circuit Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 1 Woche
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Reference Design Boards RF Transistor MRF300AN 13.56 MHz
NXP Semiconductors RF-Entwicklungstools MRF300AN 144 MHz Reference Circuit Vorlaufzeit 1 Woche
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Reference Design Boards RF Transistor MRF300AN 144 MHz to 148 MHz
NXP Semiconductors MRF300AN-27MHZ
NXP Semiconductors RF-Entwicklungstools MRF300AN-27MHZ Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 1 Woche
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Reference Design Boards RF Transistor MRF300AN 27 MHz
NXP Semiconductors MRF300AN-40MHZ
NXP Semiconductors RF-Entwicklungstools MRF300AN-40MHZ Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 1 Woche
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Reference Design Boards RF Transistor MRF300AN 40.68 MHz
NXP Semiconductors MRF300ANBN-88MHZ
NXP Semiconductors RF-Entwicklungstools MRF300ANBN-88MHZ Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 1 Woche
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Reference Design Boards RF Transistor MRF300AN 88 MHz