GaN Halbleiter

Ergebnisse: 768
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS
onsemi Gate-Treiber SINGLE CHANNEL INTEGRATED
3.000erwartet ab 10.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
750erwartet ab 15.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

MACOM HF-Verstärker GaN MMIC Power Amp 6.0-12.0GHz, 25 Watt
20erwartet ab 07.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Texas Instruments Gate-Treiber 80V GaN Half Bridge Power Stage A 595-LM A 595-LMG5200MOFR
411erwartet ab 14.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 30
: 250

Texas Instruments Galvanisch isolierte Gate-Treiber 5.7kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga A 595-UCC21540ADWK
4.000erwartet ab 17.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

MACOM CGHV27030S
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt 425Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
1.000erwartet ab 29.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
4.400erwartet ab 27.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
12.495erwartet ab 01.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Bidirectional Switch
4.000erwartet ab 01.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
1.788erwartet ab 02.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

ROHM Semiconductor GaN FETs HEMT POWER STAGE IC
1.000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Nexperia GaN FETs GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16 1Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Qorvo HF-Verstärker 10.7-12.7 GHz 17W PA PHS
20erwartet ab 27.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Qorvo HF-Verstärker 20W, 17.3-21.2 GHz PA
10erwartet ab 27.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Qorvo GaN FETs DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
19erwartet ab 28.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Qorvo GaN FETs DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
25erwartet ab 01.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Qorvo HF-Verstärker 2-20GHz 10W GAN AMPLIFIER
10erwartet ab 03.08.2026
Min.: 10
Mult.: 10

onsemi Gate-Treiber SINGLE CHANNEL INTEGRATED
2.975erwartet ab 10.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt
120erwartet ab 20.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

STMicroelectronics Gate-Treiber High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power 62Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
1.000erwartet ab 29.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

STMicroelectronics Gate-Treiber High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V
700Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

STMicroelectronics Gate-Treiber High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V
700Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Fairview Microwave HF-Verstärker 30 MHz to 2.7 GHz, SMA, GaN Bi-Directional Amplifier, High Power, 8W Psat, 36dB Tx Gain, 1 microsec speed, Manual T/R Control 1Ab Werk erhältlich
Min.: 1
Mult.: 1