STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistoren
Die Transistoren PowerGaN E-Mode G-HEMT™ von STMicroelectronics sind leistungsstarke GaN-Bauelemente des Enhancement-Modus (Normal-Off), die für außergewöhnlich schnelles Schalten, geringe Durchlassverluste und hohe Leistungsdichte in anspruchsvollen Stromumwandlungsanwendungen ausgelegt sind. Diese Transistoren nutzen die Vorteile der großen Bandlücke von Galliumnitrid, um extrem niedrige Kapazitäten, eine minimale Gate-Ladung und eine Rücklaufladung von Null zu erzielen, was im Vergleich zu herkömmlichen Leistungsschaltern aus Silizium einen überragenden Wirkungsgrad ermöglicht.
Die Transistoren PowerGaN E-Mode G-HEMT™ von STMicroelectronics verbinden fortschrittliche G-HEMT-Strukturen mit robusten Gehäusetechnologien, um hohe Strombelastbarkeit und ultraschnelles Schaltverhalten zu ermöglichen und so eine verbesserte Wärmeableitung sowie kompakte Systemdesigns zu fördern. Zu den wichtigsten Merkmalen zählen Kelvin-Source-Pads für eine optimierte Gate-Ansteuerung, Hochleistungsmanagement und hohe ESD-Robustheit, wodurch sich diese Transistoren besonders gut für AC/DC- und DC/DC-Wandler, Solarwechselrichter, industrielle Netzteile und andere hochfrequente, hocheffiziente Systeme eignen. Insgesamt bietet das E-Mode PowerGaN-Portfolio von ST Entwicklern eine leistungsstarke Plattform für die Entwicklung von Leistungselektronik der nächsten Generation, die sich durch höheren Wirkungsgrad, geringere Baugröße und verbesserte Leistung auszeichnet.
Merkmale
- Erweiterungsmodus-Normal-Aus-Transistor zur Oberflächenmontage
- Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit
- Hohe Leistungsmanagement-Fähigkeit
- Extrem niedrige Kapazitäten
- Keine Sperrverzögerungsladung
- Einkanal-Konfiguration
- Kelvin-Source-Pad für optimale Gate-Ansteuerung (verschiedene Gehäuse-Ausführungen)
- ESD-Schutz
- RoHS-konform
Applikationen
- AC-DC-Wandler
- DC/DC-Wandler
- Solarwechselrichter
- Adapter für Tablets, Notebooks und AIO
- USB Type-C® PD-Netzteile und -Schnellladegeräte
Technische Daten
- 1,8 V oder 2,5 V Gate-Source-Schwellenspannungs-Optionen
- 650 V oder 700 V Drain-Source-Durchschlagspannungs-Optionen
- 6 A bis 29 A Dauersenkenstrombereich
- 65 mΩ bis 350 mΩ Drain-Source-Widerstandsbereich
- 47 W bis 305 W Verlustleistungsbereich
- 1,5 nC bis 8,5 nC Gate-Ladungs-Bereich
- 3,5 ns bis 9 ns Anstiegszeitbereich
- 4 ns bis 9 ns Abfallzeitbereich
- 1,2 ns bis 7 ns typischer Abschaltverzögerungszeitbereich
- 0,9 ns bis 10 ns typischer Einschaltverzögerungszeitbereich
- -55 °C bis +150 °C Betriebstemperaturbereich
- DPAK-3-, PowerFLAT-4-, PowerFLAT-8- und TO-LL-11-Gehäuseoptionen
Empfohlene Transistoren
STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor
Basiert auf GaN-Technologie und ist für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs-Applikationen konzipiert.
STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR
E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.
STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN TRANSISTOR
E-Mode PowerGaN TRANSISTOR, der für eine effiziente Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Applikationen optimiert ist.
STMicroelectronics SGT65R65AL e-Modus PowerGaN-Transistor
650-V-25-A-Transistoren kombiniert mit etablierter Packaging-Technologie
Vervollständigen Sie Ihr Design
STMicroelectronics Standardprodukte
Eine große Auswahl von Drop-in-Ersatzteilen für Universal-Analog-ICs, diskrete und serielle EEPROMs.
| Teilnummer | Datenblatt | Id - Drain-Gleichstrom | Pd - Verlustleistung | Qg - Gate-Ladung | Rds On - Drain-Source-Widerstand |
|---|---|---|---|---|---|
| SGT190R70ILB |  |
11.5 A | 83 W | 2.8 nC | 190 mOhms |
| SGT140R70ILB | |
17 A | 113 W | 3.5 nC | 140 mOhms |
| SGT240R70ILB | |
10 A | 76 W | 2 nC | 240 mOhms |
| SGT105R70ILB | |
21.7 A | 158 W | 4.8 nC | 105 mOhms |
| SGT070R70HTO | |
26 A | 231 W | 8.5 nC | 70 mOhms |
| SGT080R70ILB | |
29 A | 188 W | 6.2 nC | 80 mOhms |
| SGT350R70GTK | |
6 A | 47 W | 1.5 nC | 350 mOhms |
| SGT65R65AL | |
25 A | 305 W | 5.4 nC | 65 mOhms |