200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

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Infineon Technologies IRFB4332PBFXKMA1
Infineon Technologies Infineon TRENCH >=100V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

Infineon Technologies IRFB4620PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000