QPD GaN-HF-Transistoren

Die QPD GaN-HF-Transistoren von Qorvo können in der Doherty-Architektur für die Endstufe eines Basisstation-Leistungsverstärkers für Makrozellensysteme mit hohem Wirkungsgrad verwendet werden. Diese GaN-Transistoren sind diskrete GaN-auf-SiC-HEMTs, die mit einem einstufigen Leistungsverstärker-Transistor abgestimmt sind. Zu den typischen Applikationen gehören W-CDMA/LTE, Makrozellen-Basisstationen, aktive Antennen und Universal-Applikationen.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
5Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

NI-650 N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
50erwartet ab 28.08.2026
Min.: 50
Mult.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
100erwartet ab 03.08.2026
Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT Die N-Channel 32 V 1.7 A - 65 C + 150 C 34.5 W
Qorvo GaN FETs 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
25erwartet ab 20.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.8 A + 225 C 49 W
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 25
Mult.: 25

Screw Mount NI-360 N-Channel 32 V 7.32 A - 40 C + 85 C 86 W
Qorvo GaN FETs 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.3 A + 225 C 33 W
Qorvo T1G4020036-FL
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 25
Mult.: 25

NI-650 N-Channel