Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

SGT65R65AL

Name: STMicroelectronics SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT65R65AL
Price: 8.37 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SGT65R65AL

Herst.- Nr.:

SGT65R65AL

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

SGT65R65AL Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu STMicroelectronics SGT65R65AL

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: 0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 62 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	8,37 €	8,37 €
	5,79 €	57,90 €
	4,71 €	471,00 €
	4,68 €	2.340,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	4,06 €	12.180,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	25 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	65 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	+ 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V
Qg - Gate-Ladung:	5.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	305 W
Marke:	STMicroelectronics
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	SGT
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN-on-Si
Transistorart:	E-Mode
Typ:	RF Power MOSFET
Gewicht pro Stück:	76 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SGT65R65AL Datenblatt (PDF)

Application Notes

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT65R65AL e-Modus PowerGaN-Transistor

STMicroelectronics SGT65R65AL e-Modus PowerGaN-Transistoren sind Transistoren mit 650 V, 25 A und einer bewährten Gehäusetechnologie. Der SGT65R65AL von STMicroelectronics umfasst ein G-HEMT-Bauteil, das extrem niedrige Leitungsverluste, eine hohe Strombelastbarkeit und einen extrem schnellen Schaltbetrieb bietet. Das Bauteil kann eine hohe Leistungsdichte und unschlagbare Effizienzleistungen ermöglichen.