IAUZ4xN06S5 OptiMOS™-5 60-V-Automotive-MOSFETs

Infineon Technologies IAUZ4xN06S5 OptiMOS™-5 60-V-Automotive-MOSFETs verfügen über einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand, eine niedrige Gate-Ladung und eine niedrige Gate-Kapazität, wodurch Leitungs- und Schaltverluste reduziert werden. Diese n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs verfügen außerdem über eine extrem niedrige Sperrverzögerungsladung von 22,7 nC bis 23,0 nC. 

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
Datenblatt
4.057Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
Datenblatt
13.003Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel