SGT3D5R10MEB
Siehe Produktspezifikationen
Herst.:
Beschreibung:
GaN FETs 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
Datenblatt
- USHTS:
- 8541600060
- ECCN:
- EAR99
- Ursprungsland:
- Nicht lieferbar
- Herstellungsland:
- Nicht lieferbar
- Land der Verbreitung:
- Nicht lieferbar
Verfügbarkeit
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Auf Bestellung:
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Preis (EUR)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
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|---|---|---|
| Gurtabschnitt / MouseReel™ | ||
| 3,20 € | 3,20 € | |
| 2,09 € | 20,90 € | |
| 1,52 € | 152,00 € | |
| 1,27 € | 635,00 € | |
| 1,18 € | 1.180,00 € | |
| Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000) | ||
| 1,10 € | 3.300,00 € | |
| 1,01 € | 6.060,00 € | |
Deutschland
