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STO33N60M6

Name: STMicroelectronics STO33N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STO33N60M6
Price: 1.75 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STO33N60M6

Herst.- Nr.:

STO33N60M6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET

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Datenblatt:

STO33N60M6 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-LL-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	25 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	125 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.75 V
Qg - Gate-Ladung:	33.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	230 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	33 ns
Serie:	MDmesh M6
Verpackung ab Werk:	1800
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	38.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19.5 ns
Gewicht pro Stück:	76 mg

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Datenblatt

STO33N60M6 Datenblatt (PDF)

PCN

Technical Resources

TO-LL and MDmesh M6 the latest breakthrough in high-level telecom SMPS (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STO65N60DM6 Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics STO65N60DM6 Leistungs-MOSFET ist Teil der MDmesh DM6-Baureihe mit schneller Freilaufdiode, die eine sehr niedrige Freilaufladung (Q_rr), eine Recoveryzeit (t_rr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des R_{DS (on)}. Der STO65N60DM6 bietet eine ausgezeichnete Schaltleistung über den zusätzlichen Treiberquell-pin. Diese Leistung macht den STO65N60DM6 Leistungs-MOSFET von STM ideal für die anspruchsvollsten Brückentopologien mit hohem Wirkungsgrad und phasenverschobene ZVS-Wandler.

STO67N60x MDmesh-Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics STO67N60x MDmesh Leistungs-MOSFETs sind Zener-geschützte und 100 % Avalanche-getestete N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die sich für Schaltungen eignen. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über eine ausgezeichnete Schaltleistung, einen niedrigen Gate-Eingangswiderstand und einen niedrigeren R_DS(on) pro Fläche im Vergleich zur vorherigen Generation. Der STO67N60DM6 Leistungs-MOSFET ist eine schnelle Freilaufdiode und kombiniert eine sehr niedrige Freilaufladung (Q_rr) und eine Erholungszeit (t_rr) mit dem effektivsten Schaltverhalten. Der STO67N60M6 Leistungs-MOSFET eignet sich hervorragend für den Einsatz in LLC-Wandlern und Aufwärts-PFC-Wandlern.

MDmesh™ M6-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M6-MOSFETs kombinieren eine niedrige Gate-Ladung (Q_g) mit einem optimierten Kapazitätsprofil, um einen hohen Wirkungsgrad auf neuen Topologien in Leistungsumwandlungsapplikationen zu ermöglichen. Die Super-Junction MDmesh™ M6-Baureihe bietet ein Betriebsverhalten mit hohem Wirkungsgrad, wodurch eine erhöhte Leistungsdichte und eine niedrige Gate-Ladung für den Betrieb bei hohen Frequenzen erzielt wird. Die MOSFETs der M6-Baureihe verfügen über eine Durchschlagspannung von 600 bis 700 V und sind in einer großen Auswahl von Gehäuseoptionen erhältlich. Dazu gehören eine TO-Leadless-(TO-LL)-Gehäuselösung, die ein effizientes Wärmemanagement ermöglicht. Die Bauteile umfassen eine große Auswahl von Betriebsspannungen für Industrieapplikationen, einschließlich Ladegeräte, Adapter, Silver-Box-Module, LED-Beleuchtung, Telekommunikation, Server und Solarapplikationen.