SGT1D5R10MEA
Siehe Produktspezifikationen
Herst.:
Beschreibung:
GaN FETs 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
Datenblatt
- USHTS:
- 8541600060
- ECCN:
- EAR99
- Ursprungsland:
- China
- Herstellungsland:
- Nicht lieferbar
- Land der Verbreitung:
- Nicht lieferbar
Verfügbarkeit
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Preis (EUR)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
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|---|---|---|
| Gurtabschnitt / MouseReel™ | ||
| 7,13 € | 7,13 € | |
| 5,02 € | 50,20 € | |
| 4,06 € | 406,00 € | |
| 3,61 € | 1.805,00 € | |
| 2,91 € | 2.910,00 € | |
| Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000) | ||
| 2,91 € | 8.730,00 € | |
Deutschland
