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CSD25501F3

Name: Texas Instruments CSD25501F3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25501F3
Price: 0.32 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD25501F3

Herst.- Nr.:

CSD25501F3

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25501F3T

Datenblatt:

CSD25501F3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,327 €	0,33 €
	0,20 €	2,00 €
	0,126 €	12,60 €
	0,094 €	47,00 €
	0,083 €	83,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,069 €	207,00 €
	0,061 €	366,00 €
	0,052 €	468,00 €
	0,051 €	1.224,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD25501F3T

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

1,20 €

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD25501F3T

Beschreibung:

MOSFETs #NAME?

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PICOSTAR-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	260 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.05 V
Qg - Gate-Ladung:	1.02 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	CH
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	945 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	3.4 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	428 ns
Serie:	CSD25501F3
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	1154 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	474 ns
Gewicht pro Stück:	0,300 mg

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Datenblatt

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CSD25501F3 PSPICE Model

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

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Der Texas Instruments CSD25501F3 p-Kanal-FemtoFET™-MOSFET mit 20 V und 64 mΩ ist dafür ausgelegt und optimiert, den Footprint in vielen tragbaren und mobilen Applikationen zu reduzieren. Diese Technologie kann Standard-MOSFETS für kleine Signale ersetzen, während sie eine Reduzierung von wenigstens 60 % der Größe des Footprints bietet. Der integrierte 10kΩ-Klemmenwiderstand ermöglicht abhängig vom Taktzyklus den Betrieb der Gate-Spannung (VGS) über dem maximalen internen Gate-Oxid-Wert von 6 V. Der Gate-Ableitstrom (IGSS) wird durch die Diode erhöht, wenn der VGS über 6 V ansteigt.