Ergebnisse: 26
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Verpackung
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2.725Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 150 V 40 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 4.433Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 150 V 18 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2.579Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 42 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2.824Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 25 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 1.830Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 150 V 26 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2.530Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 60 V 38 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2.900Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 60 V 168 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 82 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 150 V 65 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 60 V 66 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 100 V 59 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 100 V 88 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 62 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 60 V 94 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 54 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 36 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 100 V 52 A 11.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 190 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 82 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 89 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 59 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 62 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 56 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 59 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel