Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
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onsemi Gate-Treiber HIGH CURRENT IGBT GATE DR
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onsemi Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE
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onsemi Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
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onsemi Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE
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onsemi Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
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onsemi SiC-MOSFETs 20MOHM 900V
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 750V
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onsemi Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE
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onsemi Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE
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onsemi Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 33 Wochen
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITH ENABLE AND WITHOUT PINS 12&13
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITHOUT PINS 12&13
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
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onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
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Vorlaufzeit 16 Wochen
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