Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

Vishay Semiconductors Leistungs-Siliziumkarbid (SiC) Schottky Dioden sind fortschrittliche, hochleistungsfähige Gleichrichter, die für außergewöhnliche Effizienz, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen entwickelt wurden. Auf Basis von Wide-Bandgap SiC Technologie bieten diese Vishay Dioden praktisch keine Rückwärts-Erholung elektrische Ladung extrem schnelles Schalten Fähigkeit und Temperaturinvarianz Betriebsverhalten wodurch Bauteile sich ideal für HighFrequenz Leistungsumwandlung Systeme der nächsten Generation eignen.

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Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SicG4TO-2472L
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500erwartet ab 14.08.2026
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Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C VS-4C10EP12LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SiCG4D2PAK2L
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800erwartet ab 14.08.2026
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SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SicG4TO-2202L
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1.000erwartet ab 14.08.2026
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Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07THM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SicG4TO-2472L
Datenblatt
500erwartet ab 14.08.2026
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Through Hole TO-247AD-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15EP12L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SicG4TO-2472L
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500erwartet ab 14.08.2026
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Through Hole TO-247AD-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15EP12LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SiCG4D2PAK2L
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800erwartet ab 14.08.2026
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SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SiCG4D2PAK2L
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800erwartet ab 14.08.2026
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SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SicG4TO-2202L
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1.000erwartet ab 14.08.2026
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Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12T-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SicG4TO-2202L
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1.000erwartet ab 14.08.2026
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Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12THM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SiCG4D2PAK2L
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800erwartet ab 14.08.2026
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SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SiCG4D2PAK2L
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800erwartet ab 14.08.2026
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SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SicG4TO-2202L
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1.000erwartet ab 14.08.2026
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Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07T-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SicG4TO-2202L
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1.000erwartet ab 14.08.2026
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Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07THM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SicG4TO-2473L
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500erwartet ab 16.03.2026
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Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 10 A 650 V 1.3 V 60 A 50 uA - 55 C + 175 C VS-4C20CP07LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SiCG4D2PAK2L
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800erwartet ab 16.03.2026
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SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SiCG4D2PAK2L
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800erwartet ab 16.03.2026
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SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SicG4TO-2202L
Datenblatt
1.000erwartet ab 16.03.2026
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Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07T-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SicG4TO-2202L
Datenblatt
1.000erwartet ab 16.03.2026
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Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07THM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SicG4TO-2473L
Datenblatt
500erwartet ab 14.08.2026
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Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C30CP07L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SicG4TO-2473L
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500erwartet ab 14.08.2026
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Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C30CP07LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SicG4TO-2473L
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500erwartet ab 16.03.2026
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Through Hole TO-247AD-3 Single 30 A 650 V 1,33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30E3P07L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SicG4TO-2472L
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465erwartet ab 14.08.2026
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Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30EP12L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SicG4TO-2472L
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500erwartet ab 14.08.2026
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Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30EP12LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SiCG4D2PAK2L
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800erwartet ab 06.03.2026
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SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Dioden SiCG4D2PAK2L
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800erwartet ab 16.03.2026
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SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2LHM3