Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.

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onsemi MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
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onsemi MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
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onsemi MOSFETs T6 40V S08FL
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onsemi MOSFETs T6 40V NCH LL S08FL
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onsemi MOSFETs T6 40V NCH LL S08FL
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onsemi MOSFETs T6 40V NCH LL IN U8FL
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onsemi MOSFETs T6 40V NCH LL IN U8FL
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onsemi MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
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onsemi MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
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onsemi MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
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onsemi MOSFETs TRENCH 6 60V NFET
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onsemi MOSFETs T6 60V S08FL
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onsemi MOSFETs T6 60V S08FL
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2.000Auf Lager
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onsemi MOSFETs TRENCH 6 60V NFET
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onsemi MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
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onsemi MOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO 1.350Auf Lager
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onsemi MOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
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onsemi MOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
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onsemi MOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
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onsemi MOSFETs TRENCH 30V NCH
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onsemi MOSFETs T6-40V N 1.4 MOHMS LL
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onsemi MOSFETs T6-40V N 2.5 MOHMS LL
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onsemi MOSFETs T6-40V N 2.8 MOHMS LL
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onsemi MOSFETs T6 40V NCH LL IN U8FL
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onsemi MOSFETs T6-40V N 4.5 MOHMS LL
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