Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.

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onsemi MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL
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onsemi MOSFETs T6 40V NCH LL IN S08FL
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onsemi MOSFETs T6 40V S08FL
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onsemi MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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onsemi MOSFETs T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION
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onsemi MOSFETs NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
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onsemi MOSFETs T6 40V LL
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onsemi MOSFETs 60V 225A 1.65mOhms
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onsemi MOSFETs T6-D3F 40V NFET
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onsemi MOSFETs NFET TOLL 60V 1.0MO
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onsemi MOSFETs WIDE SOA
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onsemi MOSFETs NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH
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onsemi MOSFETs T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION
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onsemi MOSFETs NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH
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onsemi MOSFETs AFSM T6 40V SG NCH
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onsemi MOSFETs T6 60V LL DPAK
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onsemi MOSFETs TRENCH 6 40V SL NFET
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onsemi MOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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onsemi MOSFETs T6 60V LL SO8FL DUAL
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onsemi MOSFETs T6 40V SL DPAK
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onsemi MOSFETs 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
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onsemi MOSFETs T6 40V HEFET
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1.531Auf Lager
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onsemi MOSFETs T6-D3F 40V NFET
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onsemi MOSFETs T6 60V SG
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onsemi MOSFETs T6 40V SL IN DPAK
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