Leistungs-MOSFETs

YAGEO XSemi Leistungs-MOSFETs nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken für niedrigen Einschaltwiderstand, Wirkungsgrad und Kosteneffizienz. Die Leistungs-MOSFETs von YAGEO XSemi sind in verschiedenen Gehäusen erhältlich, um den Anforderungen der jeweiligen Applikation gerecht zu werden. Die für das Bauteil verfügbaren Gehäuse kommen häufig für kommerzielle und industrielle Applikationen zum Einsatz.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 100V 300 A TOLL
Datenblatt
1.858Auf Lager
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: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 347 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 190 nC - 55 C + 175 C 3.75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
Datenblatt
2.970Auf Lager
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: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 30 V 245 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 900 mV 75 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 60V 75A TO-252
Datenblatt
2.972Auf Lager
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 60 V 126 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
Datenblatt
2.989Auf Lager
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 45 V 264 A 950 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 650V 10A TO-252
Datenblatt
3.000Auf Lager
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 33 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
Datenblatt
2.997Auf Lager
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: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 2 Channel 30 V 27 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 19 nC - 55 C + 150 C 2.27 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 80V 300A TOLL
Datenblatt
1.984Auf Lager
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: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 400 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 265 nC - 55 C + 175 C 3.75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6
Datenblatt
2.995Auf Lager
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: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 190 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 100 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
Datenblatt
5.390Auf Lager
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: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 7.3 A, 11 A 18 mOhms, 45 mOhms - 20 V, 20 V 2 V, 2.4 V 5.2 nC, 6 nC - 55 C + 150 C 3.57 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs P-CH -30V -15 .5A SO-8
Datenblatt
2.770Auf Lager
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: 3.000

Si SMD/SMT SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 15.5 A 7 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 33 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6
Datenblatt
2.980Auf Lager
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: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 170 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 96 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 600V 13. 3A TO-252
Datenblatt
2.846Auf Lager
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 600 V 13.3 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 30 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 650V 20A TO-220CFM
Datenblatt
785Auf Lager
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Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 58 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X
Datenblatt
2.995Auf Lager
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 100 V 142 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 84 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 45V 49A PMPAK-5x6
Datenblatt
2.999Auf Lager
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 45 V 223 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 60V 66A TO-252
Datenblatt
2.968Auf Lager
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 60 V 66 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6
Datenblatt
2.990Auf Lager
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 P-Channel 1 Channel 30 V 33.5 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 76 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6
Datenblatt
3.000Auf Lager
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 125 A 2.55 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X
Datenblatt
3.000Auf Lager
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 80 V 168 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 112 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 100V 130 A TO-220
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1.744Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 132 A 3.88 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 85 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 100V 48. 5A TO-252
Datenblatt
2.697Auf Lager
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 100 V 48.5 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 700V 3.2 A TO-252
Datenblatt
2.972Auf Lager
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 700 V 3.2 A 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 600V 28A TO-262
Datenblatt
999Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 91 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 60V 93A TO-220CFM-T
Datenblatt
988Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 93 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T
Datenblatt
1.000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 67.7 A 3.88 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube