DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Toshiba MOSFETs N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W
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2.466Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11.5 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ
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966Auf Lager
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: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Datenblatt
1.627Auf Lager
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 440 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
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7.464Auf Lager
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 5.8 A 890 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
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4.523Auf Lager
MouseReel verfügbar
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: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 820 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 12 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
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6Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS
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31Auf Lager
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
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34Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ
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2.487Auf Lager
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: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 245 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Datenblatt
151Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 440 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
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516Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6.5 A 950 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ
Datenblatt
1.788Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 7.8 A 670 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 600V DTMOS6 TO-247 40mohm
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495Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 85 nC + 150 C 297 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs 600V DTMOS6 TO-247 80mohm
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149Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 43 nC + 150 C 211 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs 600V DTMOS6 TO-247 125mohm
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135Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 28 nC + 150 C 150 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF
Datenblatt
60Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PL-3 N-Channel 1 Channel 600 V 100 A 15 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 360 nC - 55 C + 150 C 797 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A
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2.581Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
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: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 87 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 105 nC + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC
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57Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 327 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS
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190Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11.1 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52
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196Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC
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1Auf Lager
100erwartet ab 29.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC
Datenblatt
207Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Datenblatt
77Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 30 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs MOSFET NChtrr100ns 0.25ohm DTMOS
Datenblatt
88Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Datenblatt
80Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 175 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube