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STP80N450K6

Name: STMicroelectronics STP80N450K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N450K6
Price: 3.8 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STP80N450K6

Herst.- Nr.:

STP80N450K6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET

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Datenblatt:

STP80N450K6 Datenblatt (PDF)

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	2,05 €	20,50 €
	1,85 €	185,00 €
	1,52 €	760,00 €
	1,40 €	1.400,00 €
	1,37 €	3.425,00 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	450 mOhms
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STP80N450K6 800-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Das STMicroelectronics STP80N450K6 800-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit sehr hoher Spannung, der mit der ultimativen MDmesh-K6-Technologie ausgelegt ist. Diese Technologie basiert auf einer 20-jährigen Erfahrung von STMicroelectronics in der Superjunction-Technologie. Das Ergebnis ist der erstklassige Einschaltwiderstand pro Fläche und Gate-Ladung für Applikationen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 von STMicroelectronics sind durch Zener-Dioden geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine Mindest-Drain-Source-Durchschlagspannung von 800 V, eine Gate-Source-Spannung von ±30 V und eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C aus. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 zeichnen sich außerdem durch eine maximale Dioden-Erholungs-Spannungsteilung von 5 V/ns, eine maximale Dioden-Erholungs-Stromteilung von 100 A/µs und eine MOSFET-dv/dt-Robustheit von 120 V/ns aus. Typische Anwendungen sind Notebooks und AIOs, Sperrwandler, Netzteile für Tablets und LED-Beleuchtung.