CSD22206W NexFET™ p-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die CSD22206W NexFET™ p-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Texas Instruments sind Bauteile mit –8 V, 4,7 mΩ und einer Größe von 1,5 mm×1,5 mm, die entwickelt wurden, um im kleinsten Gehäuse den niedrigsten On-Widerstand und die niedrigste Gatter-Ladung zu liefern. Das Bauelement bietet die kleinstmöglichen Außenabmessungen und ausgezeichnete thermische Eigenschaften. Der niedrige On-Widerstand in Verbindung mit dem geringen Footprint und dem niedrigen Profil machen das Bauteil ideal für batteriebetriebene, platzbeschränkte Applikationen.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Texas Instruments MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT
Datenblatt
1.140Auf Lager
3.000erwartet ab 19.02.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 5 A 9.1 mOhms - 6 V, 6 V 1.05 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W
Datenblatt
123Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 2 A 9.1 mOhms - 6 V, 6 V 700 mV 14.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel