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CSD22206WT

Name: Texas Instruments CSD22206WT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD22206WT
Price: 1.67 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD22206WT

Herst.- Nr.:

CSD22206WT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W

Datenblatt:

CSD22206WT Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,67 €	1,67 €
	1,07 €	10,70 €
	0,531 €	53,10 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	0,531 €	132,75 €
	0,495 €	247,50 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD22206W

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

0,92 €

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD22206W

Beschreibung:

MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSBGA-9
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	8 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	700 mV
Qg - Gate-Ladung:	14.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.7 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	45 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	20 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	17 ns
Serie:	CSD22206W
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	118 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	37 ns
Gewicht pro Stück:	200 mg

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CSD22206W TINA-TI Reference Design

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

NexFET p-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Texas Instruments NexFET p-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind für den niedrigsten Einschaltwiderstand und die niedrigste Gate-Ladung in den kleinstmöglichen Abmessungen mit ausgezeichneten thermischen Eigenschaften in einem extrem niedrigen Profil ausgelegt. Diese NexFET MOSFETs bieten einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand und extrem niedrige Qg und Qgd sowie einen kleinen Footprint von 1,0 mm x 1,5 mm.

CSD22206W NexFET™ p-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die CSD22206W NexFET™ p-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Texas Instruments sind Bauteile mit –8 V, 4,7 mΩ und einer Größe von 1,5 mm×1,5 mm, die entwickelt wurden, um im kleinsten Gehäuse den niedrigsten On-Widerstand und die niedrigste Gatter-Ladung zu liefern. Das Bauelement bietet die kleinstmöglichen Außenabmessungen und ausgezeichnete thermische Eigenschaften. Der niedrige On-Widerstand in Verbindung mit dem geringen Footprint und dem niedrigen Profil machen das Bauteil ideal für batteriebetriebene, platzbeschränkte Applikationen.
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