Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

Arten von Halbleitern
Kategorieansicht ändern
Ergebnisse: 51
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
123Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 419Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
88Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
225Auf Lager
900Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
4.255Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
2.449Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 1.7V 1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
310Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 16Mb 70ns 2.5v-3.6v 1M x 16 Pseudo SRAM
Datenblatt
539Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1


ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
1.611Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
480Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
Datenblatt
832Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
Datenblatt
254Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM 2M x 16 70ns
Datenblatt
215Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
885Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
942Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 450Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
1.887Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
170Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Datenblatt
316Auf Lager
480erwartet ab 17.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
138Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8
Datenblatt
172Auf Lager
500erwartet ab 22.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1


ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
758Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
475Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
408Auf Lager
2.880erwartet ab 11.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb
Datenblatt
1.884Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1