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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
4.330Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 43 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
1.464Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 248 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
5.096Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package
Datenblatt
814Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
2.953Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 273 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 107 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Datenblatt
2.738Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Datenblatt
5.217Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 198 A 2.55 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Datenblatt
2.335Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 333 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.1 V 158 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
434Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 44 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 30 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
54Auf Lager
3.600Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 100 V 365 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 211 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Datenblatt
929Auf Lager
6.000erwartet ab 28.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 16 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
107Auf Lager
6.000erwartet ab 31.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 43 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPP034N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Datenblatt
615Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 69 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Datenblatt
55Auf Lager
7.850erwartet ab 13.05.2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800
Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 80 V 408 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 223 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Datenblatt
103Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 101 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 35 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Datenblatt
92Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 101 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 35 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Datenblatt
11.970Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
11.751Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 100 V 139 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Datenblatt
10.000erwartet ab 27.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Datenblatt
5.000erwartet ab 26.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 323 A 1.57 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Datenblatt
5.979erwartet ab 15.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
10.000erwartet ab 17.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Datenblatt
Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 16 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPP020N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 290 A 1.9 Ohms - 20 V, 20 V 3.8 V 94 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape