REXFET-1 Leistungs-MOSFETs von 100 V und 150 V

Die REXFET-1 Leistungs-MOSFETs mit 100 V und 150 V von Renesas Electronics nutzen die Split-Gate-Technologie, wodurch der Einschaltwiderstand RDSON und die Gütezahl deutlich reduziert werden. Sie eignen sich daher ideal für Hochstromapplikationen. Die Bauteile sind in den Gehäuseoptionen TOLL (TO-Leadless), TOLG (TO Leaded Gullwing) und TOLT (TO Top-Side Cooled) erhältlich und bieten ein außergewöhnliches thermisches Betriebsverhalten sowie maximale Strombelastbarkeit. Darüber hinaus verfügen die MOSFETs über ein Gehäuse mit benetzbaren Flanken für eine hervorragende Lötverbindung. Die REXFET-1 MOSFETs sind AEC-Q100-qualifiziert und verfügen über PPAP-Unterstützung für Fahrzeuganwendungen.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Renesas Electronics MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
Datenblatt
1.400Auf Lager
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: 3.000

Si SMD/SMT uSO8-FL N-Channel 100 V 40 A 11.1 mOhms 4 V 28 nC Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
Datenblatt
2.100Auf Lager
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: 3.000

Si SMD/SMT uSO8-FL N-Channel 100 V 40 A 11.1 mOhms 4 V 28 nC Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLL
Datenblatt
1.397Auf Lager
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: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 150 V 200 A 3.4 mOhms 4 V 96 nC Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLT
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1.031Auf Lager
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: 1.300

Si SMD/SMT N-Channel 150 V 200 A 3.4 mOhms 4 V 96 nC Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 2.9mohm 5x6pkg
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4.014Auf Lager
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: 5.000

Si SMD/SMT SO8-FL N-Channel 100 V 160 A 2.9 mOhms 4 V 90 nC Enhancement SmartBond Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLT
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1.170Auf Lager
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Si SMD/SMT N-Channel 150 V 200 A 3.4 mOhms 4 V 96 nC Enhancement SmartBond Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLL
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1.302Auf Lager
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Si SMD/SMT N-Channel 150 V 200 A 3.4 mOhms 4 V 96 nC Enhancement SmartBond Reel, Cut Tape, MouseReel


Renesas Electronics MOSFETs Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLL
Datenblatt
1.406Auf Lager
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics MOSFETs Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLG
Datenblatt
1.110Auf Lager
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics MOSFETs Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLG
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1.461Auf Lager
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SMD/SMT TOLG-8 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.5 mOhms 170 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics MOSFETs Nch Power MOSFET 100V 300A 1.5mohm TOLL
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1.990Auf Lager
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: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.5 mOhms 170 nC SmartBond Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 100V 2.9mohm 5x6pkg
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5.000erwartet ab 02.07.2026
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: 5.000

Si SMD/SMT SO8-FL N-Channel 100 V 160 A 2.9 mOhms 4 V 90 nC Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics MOSFETs 100V, 130A, 3.7mOhms, SO8-FL N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5.000
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: 5.000

Si SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.7 mOhms 20 V 4 V 80 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement Reel
Renesas Electronics MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 100V 21mohm 3x3pkg
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

GaN SMD/SMT uSO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 20 A 21 mOhms 4 V 18 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

GaN SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.300
Mult.: 1.300
: 1.300

GaN SMD/SMT TOLT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLT
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.300
Mult.: 1.300
: 1.300

Reel
Renesas Electronics MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLL Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
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: 2.000

Reel
Renesas Electronics MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 100V 1.5 mohm TOLT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.300
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: 1.300

Reel
Renesas Electronics MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLT
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Reel
Renesas Electronics MOSFETs Auto. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLL
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
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Reel
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLT
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.300
Mult.: 1.300
: 1.300

Reel
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 1.2mohm TOLL Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

Reel
Renesas Electronics MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 100V 1.5 mohm TOLT
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.300
Mult.: 1.300
: 1.300

Reel