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ST8L60N065DM9

Name: STMicroelectronics ST8L60N065DM9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-ST8L60N065DM9
Price: 5.34 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-ST8L60N065DM9

Herst.- Nr.:

ST8L60N065DM9

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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Datenblatt:

ST8L60N065DM9 Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	5,34 €	5,34 €
	4,09 €	40,90 €
	3,31 €	331,00 €
	2,94 €	1.470,00 €
	2,52 €	2.520,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	2,52 €	7.560,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-5
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	39 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	65 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	66 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	202 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7 ns
Serie:	MDmesh DM9
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	59 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24 ns
Gewicht pro Stück:	180 mg

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Datenblatt

ST8L60N065DM9 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDmesh™ M9 Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh™ M9 von STMicroelectronics zeichnen sich durch eine verbesserte Bauelementstruktur, einen niedrigen ON-Widerstand und niedrige Gate-Ladungswerte aus. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine hohe Rückwärtsdioden-dv/dt- und MOSFET-dv/dt-Robustheit, eine hohe Leistungsdichte und geringe Leitungsverluste. Darüber hinaus bieten die MDmesh M9-Leistungs-MOSFETs eine hohe Schaltgeschwindigkeit, einen hohen Wirkungsgrad und geringe Schaltleistungsverluste. Diese Leistungs-MOSFETs sind mit der innovativen Hochspannungs-Super-Junction-Technologie ausgelegt, die eine beeindruckende Gütezahl (FoM) liefert. Der hohe FoM ermöglicht höhere Leistungsstufen und eine höhere Dichte für kompaktere Lösungen. Zu den typischen Applikationen gehören Server, Telekommunikations-Rechenzentren, 5G-Kraftwerke, Mikrowechselrichter und Schnell Ladegeräte.

STP60N043DM9 MDmesh DM9 Leistungs-MOSFET

Der Leistungs-MOSFET STP60N043DM9 MDmesh DM9 von STMicroelectronics wurde für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs entwickelt und zeichnet sich durch einen sehr niedrigen R_DS(on) pro Fläche in Verbindung mit einer Fast-Recovery-Diode aus. Das Gerät nutzt die innovative Super-Junction-MDmesh-DM9-Technologie, die einen Multi-Drain-Fertigungsprozess bietet, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht.