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STP65N150M9

Name: STMicroelectronics STP65N150M9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP65N150M9
Price: 3.78 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STP65N150M9

Herst.- Nr.:

STP65N150M9

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Datenblatt:

STP65N150M9 Datenblatt (PDF)

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	2,22 €	22,20 €
	1,81 €	181,00 €
	1,56 €	780,00 €
	1,36 €	1.360,00 €
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	150 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.2 V
Qg - Gate-Ladung:	32 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	140 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	10 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	MDmesh M9
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Super-junction Power MOSFETs for best efficiency (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDmesh™ M9 Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh™ M9 von STMicroelectronics zeichnen sich durch eine verbesserte Bauelementstruktur, einen niedrigen ON-Widerstand und niedrige Gate-Ladungswerte aus. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine hohe Rückwärtsdioden-dv/dt- und MOSFET-dv/dt-Robustheit, eine hohe Leistungsdichte und geringe Leitungsverluste. Darüber hinaus bieten die MDmesh M9-Leistungs-MOSFETs eine hohe Schaltgeschwindigkeit, einen hohen Wirkungsgrad und geringe Schaltleistungsverluste. Diese Leistungs-MOSFETs sind mit der innovativen Hochspannungs-Super-Junction-Technologie ausgelegt, die eine beeindruckende Gütezahl (FoM) liefert. Der hohe FoM ermöglicht höhere Leistungsstufen und eine höhere Dichte für kompaktere Lösungen. Zu den typischen Applikationen gehören Server, Telekommunikations-Rechenzentren, 5G-Kraftwerke, Mikrowechselrichter und Schnell Ladegeräte.

STP65N150M9 Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics STP65N150M9 Leistungs-MOSFET basiert auf der MDmesh-M9-Superjunction-Technologie. Das Bauteil eignet sich für MOSFETs mit einer mittleren/hohen Spannung und verfügt über einen sehr niedrigen R_DS(on) pro Fläche. Die Silizium-basierte M9-Technologie profitiert von einem Multi-Drain-Herstellungsprozess, der eine verbesserte Bauteilstruktur ermöglicht. Das resultierende Produkt verfügt über einen der niedrigeren Einschaltwiderstände und reduzierte Gate-Ladungswerte unter allen Silizium-basierten, schnellschaltenden Superjunction-Leistungs-MOSFETs. Diese Merkmale machen das Bauteil besonders geeignet für Applikationen, die eine hervorragende Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.