STP2N95K5

STMicroelectronics
511-STP2N95K5
STP2N95K5

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 930

Lagerbestand:
930 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
14 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
-,-- €
Erw. Preis:
-,-- €
Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
1,76 € 1,76 €
0,869 € 8,69 €
0,769 € 76,90 €
0,617 € 308,50 €
0,553 € 553,00 €
0,502 € 1.004,00 €
0,476 € 2.380,00 €

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
950 V
2 A
4.2 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
10 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 32.5 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 13.5 ns
Serie: STP2N95K5
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 20.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 8.5 ns
Gewicht pro Stück: 2 g
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

SuperMESH™ Hochspannungs-MOSFETs

STMicroelectronics Zener-geschützte SuperMESH™ Leistungs-MOSFETs stellen eine grundlegende Optimierung des streifenbasierten Standard-PowerMESH™-Layouts dar. STMicroelectronics SuperMESH MOSFETs senken den On-Widerstand signifikant und bieten gleichzeitig eine sehr gute dv/dt-Leistung, wodurch sie sich auch für anspruchsvollste Anwendungen eignen. SuperMESH-Komponenten haben eine minimierte Gate-Ladung, sind zu 100% Avalanche-getestet, haben verbesserte ESD-Fähigkeiten und ein neues Hochspannungsbenchmark. Diese STMicroelectronics MOSFETs sind für die Verwendung in Schaltanwendungen konzipiert.
Weitere Informationen