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STL9P3LLH6

Name: STMicroelectronics STL9P3LLH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL9P3LLH6
Price: 1.36 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STL9P3LLH6

Herst.- Nr.:

STL9P3LLH6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

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Datenblatt:

STL9P3LLH6 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,36 €	1,36 €
	0,853 €	8,53 €
	0,576 €	57,60 €
	0,453 €	226,50 €
	0,414 €	414,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,362 €	1.086,00 €
	0,341 €	2.046,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-3.3x3.3-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	12 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	24 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	3 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	18 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	93 ns
Serie:	STL9P3LLH6
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13.2 ns
Gewicht pro Stück:	20 mg

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ECCN:: EAR99

STL9P3LLH6 p-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics STL9P3LLH6 p-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein -30V, 12mΩ MOSFET, entwickelt unter Verwendung der STripFET™ H6-Technologie mit einer neuen Trench-Gate-Struktur. Dieser MOSFET verfügt über eine sehr geringe Gatter-Ladung, Verlustleistung und eine hohe Avalanche-Robustheit. Der STL9P3LLH6 MOSFET ist in einem 3,3x3,3 Gehäuse untergebracht und weist einen sehr geringen R_DS(on) für alle Gehäuse auf. Diese MOSFETs werden für Schaltanwendungen verwendet.