STL66N3LLH5

STMicroelectronics
511-STL66N3LLH5
STL66N3LLH5

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET V

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1,09 € 10,90 €
0,738 € 73,80 €
0,586 € 293,00 €
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
30 V
21 A
5.8 mOhms
- 22 V, 22 V
3 V
12 nC
- 55 C
+ 175 C
4.8 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 4.5 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 14.5 ns
Serie: STL66N3LLH5
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 22.7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 9.3 ns
Gewicht pro Stück: 76 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STripFET V™ Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics STripFET V™ Leistungs-MOSFETs sind Anreicherungstyp-MOSFETs, die von der proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur von STMicroelectronics profitieren. Die fortschrittliche Planartechnologie eignet sich ideal für einen Betrieb mit hohem Wirkungsgrad, der die Gütezahl (Figure of Merit, FoM) verbessert. Sie zeichnen sich durch Hochstrom- und niedrigen RDS(on)-Eigenschaften aus, die für Automotive- und Industrie-Schaltapplikationen erforderlich sind. Die fortschrittliche Planartechnologie dieser Module eignet sich ideal für Niederspannungssysteme mit hohem Wirkungsgrad.

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem RDS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on).
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