STL130N6F7

STMicroelectronics
511-STL130N6F7
STL130N6F7

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p

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1,08 € 108,00 €
0,877 € 438,50 €
0,807 € 807,00 €
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
60 V
130 A
3.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 24 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 44 ns
Serie: STL130N6F7
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit: 62 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 24 ns
Gewicht pro Stück: 76 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem RDS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on).
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