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STH290N4F6-2AG

Name: STMicroelectronics STH290N4F6-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH290N4F6-2AG
Price: 1.39 EUR
Availability: Discontinued

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STH290N4F6-2AG

Herst.- Nr.:

STH290N4F6-2AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs LGS LV MOSFET

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Lebenszyklus:

NRND:

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Datenblatt:

STH290N4F6-2AG Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	H2PAK-2
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	180 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	115 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	300 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	48 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	116 ns
Serie:	STH290N4F6-2AG
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	105 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

STH290N4F6-2AG Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem R_DS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten R_DS(on).
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