STDRIVEG611QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG611QTR
STDRIVEG611QTR

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Beschreibung:
Gate-Treiber High voltage, high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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STMicroelectronics
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
10.6 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
11 ns
22 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Marke: STMicroelectronics
Eingangsspannung – Max: 20 V
Eingangsspannung – Min: 3.3 V
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 60 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 60 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Ausgangsspannung: 520 V
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 60 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 7 Ohms
Abschaltung: Shutdown
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
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STDRIVEG611 Halbbrücken-GATE-Treiber

STMicroelectronics STDRIVEG611 Halbbrücken-GATE Treiber sind Hochspannungs-Halbbrücken- GATE- Treiber für N-Kanal-Enhancement Modus -GaN. Der High-Side-Treiberbereich ist für eine Spannung von bis zu 600 V ausgelegt und kann problemlos über die integrierte Bootstrap-Diode versorgt werden. Hohe Strombelastbarkeit, kurze Ausbreitungsverzögerung mit ausgezeichneter Verzögerungsanpassung und integrierte LDOs machen den STDRIVEG611 optimal für den Betrieb von Hochgeschwindigkeits-GaN.