STDRIVEG611Q

STMicroelectronics
511-STDRIVEG611Q
STDRIVEG611Q

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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1,60 € 160,00 €
1,46 € 365,00 €
1,42 € 710,00 €
1,40 € 1.400,00 €
1,37 € 3.425,00 €
1,34 € 6.566,00 €

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
STMicroelectronics
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
10.6 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
11 ns
22 ns
- 40 C
+ 125 C
Tray
Marke: STMicroelectronics
Eingangsspannung – Max: 20 V
Eingangsspannung – Min: 3.3 V
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 60 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 60 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: Gate Drivers
Abschaltung: No Shutdown
Verpackung ab Werk: 4900
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
Gewicht pro Stück: 44 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

STDRIVEG611 Halbbrücken-GATE-Treiber

STMicroelectronics STDRIVEG611 Halbbrücken-GATE Treiber sind Hochspannungs-Halbbrücken- GATE- Treiber für N-Kanal-Enhancement Modus -GaN. Der High-Side-Treiberbereich ist für eine Spannung von bis zu 600 V ausgelegt und kann problemlos über die integrierte Bootstrap-Diode versorgt werden. Hohe Strombelastbarkeit, kurze Ausbreitungsverzögerung mit ausgezeichneter Verzögerungsanpassung und integrierte LDOs machen den STDRIVEG611 optimal für den Betrieb von Hochgeschwindigkeits-GaN.