STB18N60DM2

STMicroelectronics
511-STB18N60DM2
STB18N60DM2

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package

ECAD Model:
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1,87 € 18,70 €
1,32 € 132,00 €
1,14 € 570,00 €
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
260 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 32.5 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 8 ns
Serie: STB18N60DM2
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 9.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 13.5 ns
Gewicht pro Stück: 4 g
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

STx24N60DM2 n-Kanal-, FDmesh II Plus™ Leistungs-MOSFETs

Die STMicroelectronics MDmesh DM2 -Serie ist STs neueste Serie von schnellen Freilaufdioden der 600V Leistungs-MOSFETs, die für ZVS-phasenverschobene Brückentopologien optimiert sind. Sie weisen eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung und -zeit (Qrr, trr) auf und zeigen einen um 20% niedrigeren RDS(on), verglichen mit der vorhergehenden Generation. Hohe dV/dt-Robustheit (40V/ns) stellt eine verbesserte Systemzuverlässigkeit sicher.
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