Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

STB155N3LH6

Name: STMicroelectronics STB155N3LH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB155N3LH6
Price: 2.56 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STB155N3LH6

Herst.- Nr.:

STB155N3LH6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 30V 0.0024 Ohm, 80 A, D2PAK

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

STB155N3LH6 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu STMicroelectronics STB155N3LH6

Auf Lager: 159

Lagerbestand:: 159 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 26 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2,56 €	2,56 €
	1,66 €	16,60 €
	1,19 €	119,00 €
	0,998 €	499,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	0,836 €	836,00 €
	0,788 €	1.576,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	80 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	110 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q100
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	40 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	85 ns
Serie:	STB155N3LH6
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	100 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Gewicht pro Stück:	4 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

STB155N3LH6 Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem R_DS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten R_DS(on).
Weitere Informationen

AEC-Q101-qualifizierte STripFET-Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics AEC-Q101-qualifizierte STripFET Leistungs-MOSFETs nutzen die proprietäre Trench-basierte Niederspannungstechnologie von ST, um extrem geringe Leitungsverluste zu erzielen. Diese Leistungs-MOSFETs reduzieren den Energieverlust für elektrische Antriebe, sorgen für einen höheren Wirkungsgrad und eignen sich dadurch für eine große Auswahl von Applikationen. Diese Bauteile sind in TO-252- und TO-263-Industriestandard-SMD-Gehäusen mit R_DS(on)-Bereichen von 3 mΩ bis 12,5 mΩ untergebracht und bieten eine gute Leistung in den meisten Niederspannungs-Fahrzeuganwendungen. Diese Produktreihe bietet sowohl Standard- als auch Logikpegel-Schwellwerte.