STB11NM60-1

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STB11NM60-1

Herst.- Nr.:

STB11NM60-1

Herst.:

STMicroelectronics

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-262-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	11 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	450 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	160 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	SG
Abfallzeit:	11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	5.2 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	20 ns
Serie:	STB11NM60
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	6 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Gewicht pro Stück:	2,387 g