ST8L65N065DM9

STMicroelectronics
511-ST8L65N065DM9
ST8L65N065DM9

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
1 Channel
650 V
44 A
65 mOhms
- 30 V, 30 V
4.5 V
78 nC
- 55 C
+ 150 C
223 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 4 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 6 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 61 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 19 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000

MDmesh™ M9 Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh™ M9 von STMicroelectronics zeichnen sich durch eine verbesserte Bauelementstruktur, einen niedrigen ON-Widerstand und niedrige Gate-Ladungswerte aus. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine hohe Rückwärtsdioden-dv/dt- und MOSFET-dv/dt-Robustheit, eine hohe Leistungsdichte und geringe Leitungsverluste. Darüber hinaus bieten die MDmesh M9-Leistungs-MOSFETs eine hohe Schaltgeschwindigkeit, einen hohen Wirkungsgrad und geringe Schaltleistungsverluste. Diese Leistungs-MOSFETs sind mit der innovativen Hochspannungs-Super-Junction-Technologie ausgelegt, die eine beeindruckende Gütezahl (FoM) liefert. Der hohe FoM ermöglicht höhere Leistungsstufen und eine höhere Dichte für kompaktere Lösungen. Zu den typischen Applikationen gehören Server, Telekommunikations-Rechenzentren, 5G-Kraftwerke, Mikrowechselrichter und Schnell Ladegeräte.