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GTRA362002FC-V1-R2

Name: MACOM GTRA362002FC-V1-R2
Brand: MACOM
SKU: 941-GTRA362002FCV1R2
Price: 140.99 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-GTRA362002FCV1R2

Herst.- Nr.:

GTRA362002FC-V1-R2

Herst.:

MACOM

Datenblatt:

ECAD Model:

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Herst. Teilenr.:

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

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Preis:

182,47 €

Min:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
Versandbeschränkungen:	Für den Export dieses Produkts aus den USA ist möglicherweise zusätzliche Dokumentation erforderlich.
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	H-37248C-4
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	125 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4.1 A
Maximale Betriebstemperatur:	+ 225 C
Marke:	MACOM
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Verstärkung:	13.5 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	3.6 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	3.4 GHz
Ausgangsleistung:	200 W
Verpackung:	Reel
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 10 V to 2 V