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GTRA362002FC-V1-R0

Name: MACOM GTRA362002FC-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTRA362002FCV1R0
Price: 182.47 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-GTRA362002FCV1R0

Herst.- Nr.:

GTRA362002FC-V1-R0

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

Datenblatt:

GTRA362002FC-V1-R0 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Preis (EUR)

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	182,47 €	182,47 €
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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 50)
	133,72 €	6.686,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
Versandbeschränkungen:	Für den Export dieses Produkts aus den USA ist möglicherweise zusätzliche Dokumentation erforderlich.
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	H-37248C-4
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4.1 A
Maximale Betriebstemperatur:	+ 225 C
Marke:	MACOM
Verstärkung:	13.5 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	3.6 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	3.4 GHz
Ausgangsleistung:	200 W
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 10 V to 2 V

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PCN

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USHTS:: 8541290055
ECCN:: 3A001.b.3.a

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