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Vishay / Siliconix SIR873DP 150V-p-Kanal-MOSFET

Der Vishay/Siliconix SIR873DP 150V-p-Kanal-MOSFET ist ein TrenchFET®-Leistungs-MOSFET. Der SIR873DP MOSFET bietet einen niedrigen On-Widerstand, der die Durchlassverluste verringert.Dieser MOSFET SIR873DP ist für einen Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C ausgelegt. Dieser Leistungs-MOSFET ist als Einzel-Konfiguration in einem PowerPAK®-Gehäuse erhältlich. Die Applikationen umfassen Lastschalter, aktive Klemmung im DC/DC-Netzteil, Batterieschutz und Motorantriebssteuerung.

Merkmale

  • TrenchFET power MOSFET
  • Low RDS(ON) minimizes power loss from conduction
  • 100% Rg and UIS tested
  • Operates in a -55°C to +150°C temperature range

Applikationen

  • Load switches
  • Active clamps in DC/DC power supplies
  • Battery protection
  • Motor drive control

Technische Daten

  • ±20V gate-source voltage (VGS)
  • -37A continuous drain current (ID)
  • 104W (maximum) power dissipation (PD)

Typical Characteristics

Vishay / Siliconix SIR873DP 150V-p-Kanal-MOSFET

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Veröffentlichungsdatum: 2017-09-07 | Aktualisiert: 2022-06-30