Toshiba XPHx06NC Automotive-Silizium-n-Kanal-MOSFETs
Toshiba XPHx06NC Silizium-n-Kanal-MOSFETs sind 60-V-Einzel-n-Kanal-MOSFETs, die in kleinen und dünnen Gehäusen verfügbar sind. Diese MOSFETs werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C gelagert und arbeiten bei +175 °C. Die XPHx06NC Silizium-n-Kanal-MOSFETs sind AEC-Q101-qualifiziert und RoHS-kompatibel. Zu den typischen Applikationen gehören Automotive, Motortreiber, Schaltspannungsregler und DC/DC-Wandler.
Merkmale
- AEC-Q101-qualifiziert
- RoHS-konform
- Kleines und dünnes Gehäuse
Technische Daten
- Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
- Abmessungen: 5 mm x 6 mm x 0,95 mm
- Drain-Source-Spannung: 60 V/-60 V
- Gate-Quellenspannung: 10 V
- XPH2R106NC:
- Verlustleistung: 170 W
- Gate-Ladung: 104 nC
- Dauersenkenstrom: 110 A
- Drain-Source-Widerstand: 1,7 mΩ
- XPH3R206NC:
- Verlustleistung: 132 W
- Gate-Ladung: 65 nC
- Dauersenkenstrom: 70 A
- Drain-Source-Widerstand: 2,6 mΩ
Applikationen
- Fahrzeuganwendungen
- Motortreiber
- Schaltspannungsregler
- DC/DC-Wandler
Gehäuse und interne Schaltung
Markierungsdiagramm
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung | Id - Drain-Gleichstrom | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Qg - Gate-Ladung | Pd - Verlustleistung |
|---|---|---|---|---|---|---|
| XPH3R206NC,L1XHQ |  |
MOSFETs | 70 A | 2.6 mOhms | 65 nC | 132 mW |
| XPH2R106NC,L1XHQ | |
MOSFETs | 110 A | 1.7 mOhms | 104 nC | 170 W |
Veröffentlichungsdatum: 2021-01-11
| Aktualisiert: 2024-11-26