Toshiba TK110N65Z DTMOSVI Leistungs-MOSFET
Der Toshiba TK110N65Z DTMOSVI Leistungs-MOSFET verfügt über einen niedrigen Drain-Source-On-Widerstand von RDS(ON) = 0,092 Ω (typisch.). Der MOSFET verfügt über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit niedriger Kapazität und einen Erweiterungsmodus von Vth = 3 bis 4 V (VDS = 10 V, ID = 1,02 mA). Diese Bauteile eignen sich hervorragend für Schaltnetzteil-Applikationen.
Merkmale
- Niedriger Drain-Source-On-Widerstand: RDS(ON) = 0,092 Ω (typisch)
- Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit geringerer Kapazität
- Anreicherungsmodus: Vth = 3 bis 4 V (VDS = 10 V, ID = 1,02 mA)
- Applikationen, Schaltnetzteile
Gehäuse und interne Schaltung
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Toshiba DTMOSVI MOSFETs
650V power MOSFET featuring a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical).
Veröffentlichungsdatum: 2020-12-10
| Aktualisiert: 2024-11-26