Texas Instruments PGA855 Instrumentenverstärker mit programmierbarer Gain
Der Texas Instrument PGA855 Instrumentenverstärker mit programmierbarer Gain ist ein Instrumentenverstärker mit hoher Bandbreite und programmierbarer Gain mit vollständig differenziellen Ausgängen. Der PGA855 verfügt über acht binäre Verstärkungseinstellungen, von einer Dämpfungsverstärkung von 0,125 V/V bis zu einem Maximum von 16 V/V, die über drei digitale Verstärkungsauswahlpins eingestellt werden können. Die Ausgangs-Gleichtaktspannung kann über den VOCM-Pin unabhängig eingestellt werden.Die Architektur des PGA855 von Texas Instruments ist für die Ansteuerung der Eingänge von hochauflösenden Präzisions-Analog-Digital-Wandlern (ADCs) mit Abtastraten von bis zu 1 MS/s optimiert, ohne dass ein zusätzlicher ADC-Treiber erforderlich ist. Die Stromversorgungen der Ausgangsstufen (LVSS/LVDD) sind von der Eingangsstufe entkoppelt. Die Bauteile können an die Stromversorgungen des ADCs angeschlossen werden, um den ADC oder ein nachgeschaltetes Gerät vor Übersteuerungsschäden zu schützen.
Die Super-Beta-Eingangstransistoren bieten einen beeindruckend niedrigen Eingangsruhestrom, der eine sehr niedrige Eingangsstromrauschdichte von 0,3 pA/√Hz ermöglicht, was den PGA855 zu einer vielseitigen Wahl für praktisch jeden Sensortyp macht. Die rauscharme Front-End-Architektur mit Stromrückkopplung bietet eine hervorragende Verstärkungsflachheit, selbst bei hohen Frequenzen, und macht den PGA855 zu einem hervorragenden Sensorauslesegerät mit hoher Impedanz. Die integrierte Schutzschaltung an den Eingangspins bewältigt Überspannungen bis zu ±40 V über den Versorgungsspannungen.
Merkmale
- Acht Pin-programmierbare binäre Verstärkungen
- G (V/V) = ⅛, ¼, ½, 1, 2, 4, 8 und 16
- 1 ppm/°C (max) bei G = 1 V/V Geringe Gain-Fehlerdrift
- Vollständig differenzielle Ausgänge
- Unabhängige Ausgangs-Stromversorgungspins, zum Schutz vor Übersteuerungen des ADC-Eingangs
- Ausgangsgleichtaktsteuerung
- Schnellere Signalverarbeitung
- Eine große Bandbreite von 10 MHz bei allen Gains
- Hohe Anstiegsrate: 35 V/µs
- Einschwingzeit: 500 ns bis 0.01 %, 950 ns bis 0.0015%
- Eingangsstufenrauschen von 7,8 nV/√ Hz bei G = 16 V/V
- Filteroption zur Erzielung eines besseren SNR
- Eingangsüberspannungsschutz bis ±40 V über die Versorgungsspannung hinaus
- Versorgungsbereich der Eingangsstufe
- Einzelversorgung: 8V bis 36V
- Dual-Versorgung: ±4V bis ±18V
- Versorgungsbereich der Ausgangsstufe
- Einzelversorgung: 4.5V bis 36V
- Dual-Versorgung: ±2.25V bis ±18V
- Spezifizierter Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C
- 3 mm × 3 mm kleines VQFN-Gehäuse
Applikationen
- Fabrikautomatisierung und -steuerung
- Analoges Eingangsmodul
- Datenerfassung (DAQ)
- Prüf- und Messsysteme
- Halbleitertest
Vereinfachte Applikation
