Texas Instruments LMR664x0/LMR664x0-Q1 Abwärtswandler

Die LMR664x0/LMR664x0-Q1-Abwärtswandler von Texas Instruments sind in 2-A- und 1-A-Ausführungen in einem verbesserten HotRod-QFN-Gehäuse verfügbar. Der kleine LMR664x0/-Q1 bietet Benutzerfreundlichkeit mit einem großen Eingangsspannungsbereich von 2,7 V bis 36 V (nach Inbetriebnahme oder Betrieb) mit Transienten bis zu 42 V.

Die LMR664x0/LMR664x0-Q1-Wandler von TI sind speziell für die Anforderungen an eine niedrige Standby-Leistung bei ständig eingeschalteten Fahrzeuganwendungen ausgelegt. Der Automatikmodus ermöglicht eine Frequenzreduzierung bei Betrieb mit geringer Last, wodurch ein typischer Stromverbrauch von 1,5 µA bei 13,5 V_IN und eine hohe Effizienz bei geringer Last erreicht werden. Ein nahtloser Übergang zwischen PWM- und PFM-Modus und sehr niedrige MOSFET-Einschaltwiderstände sorgen für einen hervorragenden Wirkungsgrad über den gesamten Lastbereich. Die Steuerarchitektur (Spitzenstrommodus) und der Funktionssatz sind für eine extrem kleine Baugröße mit minimaler Ausgangskapazität optimiert. Der LMR664x0/-Q1 von TI minimiert die Größe des Eingangsfilters durch den Einsatz eines Dual-Random-Spread-Spectrum (DRSS), eines EMI-armen HotRod-QFN-Gehäuses und eines optimierten Pinouts. Mit dem MODE/SYNC-Pin kann die Frequenz eingestellt oder synchronisiert werden, um rauschempfindliche Frequenzbänder zu vermeiden. Zwischen den kritischen Hochspannungspins befinden sich NC-Pins, wodurch potenzielle Ausfälle verringert werden (optimale Pin-FMEA). Der umfangreiche Funktionsumfang von LMR664x0/-Q1 vereinfacht die Implementierung für eine große Auswahl von Endgeräten in Fahrzeugen.

Die LMR664x0-Q1-Bauteile sind AEC-Q100-qualifiziert für Fahrzeuganwendungen.

Merkmale

Fähig für die funktionale Sicherheit
- Dokumentation zur Unterstützung des Designs von funktionalen Sicherheitssystemen ist verfügbar
AEC-Q100-qualifiziert für Fahrzeuganwendungen:
- Temperaturklasse 1 von -40 °C bis +125 °C, T_A
Optimiert für niedrige EMI-Anforderungen
- Duale zufällige Frequenzspreizung reduziert Spitzenemissionen
- Erweitertes HotMesh™-QFN-Gehäuse reduziert das Schaltknoten-Überschwingen
Höher als 85 % Wirkungsgrad bei 1 mA

Für Fahrzeuganwendungen ausgelegt:
- Sperrschichttemperaturbereich: -40 °C bis +150 °C
- NC-Pin zwischen kritischen Pins für bessere Zuverlässigkeit
- Erstklassige Pin-FMEA
- Unterstützt 42-V-Lastabwurf-Transienten für Fahrzeuge
- Unterstützt 3 V_IN für Kaltstart bei Fahrzeugen
Miniaturgröße und niedrige Bauteilkosten:
- Verbessertes HotRod-QFN-Gehäuse von 2,6 mm x 2,6 mm mit benetzbaren Flanken
- Interne Regelkreiskompensation