Texas Instruments LM74701-Q1 Idealer Diodencontroller
Der ideale Diodencontroller LM74701-Q1 von Texas Instruments ist ein nach AEC-Q100 qualifizierter idealer Diodencontroller für die Automobilindustrie. Er arbeitet mit einem externen n-Kanal-MOSFET als ideale Diode für verlustarmen Verpolungsschutz mit einem Vorwärtsspannungsabfall von 20 mV. Der LM74701-Q1 ist für den Eingangsschutz von 12 V-Automotive-Systemen geeignet. Die Unterstützung der Eingangsspannung von 3,2 V eignet sich hervorragend für extreme Kaltstartanforderungen in Automotive-Systemen.
Das Bauteil steuert das GATE des MOSFETS, um den Durchlass-Spannungsabfall bei 20 mV zu regeln. Das Regelungsschema ermöglicht ein sanftes Abschalten des MOSFET bei einem Rückstromereignis und gewährleistet einen Gleichstromrückstrom von Null. Durch die schnelle Reaktion (< 0,75 µs) auf die Sperrung des Rückstroms eignet sich der Baustein für Systeme mit Anforderungen an die Überbrückung der Ausgangsspannung während der ISO7637-Impulsprüfung sowie für Stromausfall- und Mikrokurzschlussbedingungen am Eingang. Der LM74701-Q1 verfügt über eine einzigartige integrierte VDS-Clamp-Funktion, die es dem Anwender ermöglicht, eine TVS-freie Lösung für den Schutz der Eingangspolarität zu realisieren und durchschnittlich 60 % des Platzes auf der Leiterplatte in eingeschränkten Automobilsystemen einzusparen.
Der LM74701-Q1 Controller von Texas Instruments bietet einen Ladepumpen-Gate-Drive für einen externen n-Kanal-MOSFET. Wenn der Freigabe-Pin niedrig ist, ist der Controller ausgeschaltet und zieht etwa 1 µA Strom.
Merkmale
- Mit den folgenden Ergebnissen AEC-Q100-qualifiziert:
- Bauteiltemperatur Klasse 1 (-40 °C bis +125 °C Umgebungsbetriebstemperaturbereich)
- HBM-ESD-Bauteilklassifikation Stufe 2
- CDM-ESD-Bauteilklassifikation Stufe C4B
- Eingangsbereich: 3,2 V bis 65 V (3,9 V bei der Inbetriebnahme)
- -33 V Rückwärtsspannung
- Ladungspumpe für externen n-Kanal-MOSFET
- 20 mV ANODE-zu-KATHODE-Durchlass-Spannungsabfallregelung
- 1 µA Abschaltstrom (EN = Low)
- 80 µA Betriebsruhestrom (EN = High)
- 2 A Spitzenwert des Gate-Ausschaltstroms
- < 0,75 µs schnelle Reaktion auf Sperrung des Rückstroms
- Integrierter Schalter zur Überwachung der Batteriespannung (SW)
- Erfüllt die Transienten-Anforderungen der ISO7637 für den Automotive-Bereich ohne zusätzliche TVS-Diode am Eingang (TVS-los)
- 8-Pin SOT-23-Gehäuse 2,90 mm × 1,60 mm
Applikationen
- ADAS-Systeme für Automotive – Kamera
- Infotainment-Systeme für Automotive – Haupteinheit, Telematik-Steuergerät
- Automotive-USB-Hubs
- Active ORing für redundante Stromversorgungen
Funktionales Blockdiagramm
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