Texas Instruments DRV8334/DRV8334-Q1 Integrierter Smart Gate-Treiber
Der integrierte Smart Gate-Treiber DRV8334/DRV8334-Q1 von Texas Instruments ist für dreiphasige BLDC- Applikationen konzipiert. Das Gerät bietet drei Halbbrücken-Gate-Treiber, die jeweils High-Side- und Low-Side-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern können. Der DRV8334 erzeugt mithilfe einer integrierten Bootstrap-Diode und einer GVDD-Ladungspumpe die richtigen Gate-Treiberspannungen. Die Smart-Gate-Treiber-Architektur unterstützt konfigurierbare Spitzen-Gate-Treiberströme von 0,7 mA bis zu 1 A an der Quelle und 2 A an der Senke. Der DRV8334 kann mit einem einzigen Netzteil mit einem breiten Eingangsbereich von 4,5 V bis 60 Vbetrieben werden. Eine Trickle-Charge-Pumpe ermöglicht dem Gate-Treiber eine 100% PWM-Duty-Cycle-Steuerung und liefert eine Overdrive-Gate-Treiberspannung für externe Schalter.
Der DRV8334/DRV8334-Q1 von Texas Instruments bietet Low-Side-Strommessverstärker zur Unterstützung widerstandsbasierter Low-Side-Strommessung. Der geringe Offset der Verstärker ermöglicht es dem System, präzise Motorstrommessungen durchzuführen. Eine große Auswahl an in den DRV8334/DRV8334-Q1 integrierten Diagnose- und Schutzfunktionen ermöglicht die Entwicklung eines robusten Motorantriebssystems und trägt dazu bei, den Bedarf an externen Komponenten zu vermeiden. Die hochgradig konfigurierbare Gerätereaktion ermöglicht die nahtlose Integration des Geräts in verschiedene Systemdesigns. Die DRV8334-Q1 Bauteile sind AEC-Q100 qualifiziert für Fahrzeuganwendungen.
Merkmale
- Dreiphasiger Halbbrücken-Gate-Treiber
- Treibt sechs N-Kanal-MOSFETs (NMOS) an
- Großer Betriebsspannungsbereich von 4,5 V bis 60 V
- Bootstrap-Architektur für High-Side-Gate-Treiber
- Eine starke GVDD-Ladungspumpe zur Unterstützung eines durchschnittlichen Gate-Schaltstroms von bis zu 50 mA ermöglicht den Betrieb von 400-nC-MOSFETs bei 20 kHz
- Erhaltungsladepumpe zur Unterstützung vom 100 % PWM-Arbeitszyklus und zur Erzeugung einer Overdrive-Versorgung zur Ansteuerung einer externen Abschalt- oder Verpolungsschutzschaltung
- Smart-Gate-Treiber-Architektur
- Über 45 Level konfigurierbarer Spitzen-Gate-Treiberstrom bis zu 1000 mA/2000 mA (Quelle/Senke)
- Dreistufige Antriebsstromkonfiguration zur Optimierung des Lade-/Entladezyklus und Minimierung der Totzeit
- Automatische Totzeiteinfügung mit geschlossenem Regelkreis basierend auf der Gate-Source-Spannungsüberwachung
- Konfigurierbare Sanftabschaltung zur Minimierung induktiver Spannungsspitzen während der Überstromabschaltung
- Low-Side-Strommessverstärker
- Niedriger Eingangs-Offset über die Temperatur von unter 1 mV
- Einstellbare 9-Stufen-Verstärkung
- SPI-basierte detaillierte Konfiguration und Diagnose
- DRVOFF-Pin zum unabhängigen Deaktivieren des Treibers
- Hochspannungs-Wake-up-Pin (nSLEEP)
- 6 x, 3 x, 1 x und unabhängige PWM-Modi
- Unterstützt Logikeingänge mit 3,3 V und 5 V
- Integrierte Schutzfunktionen
- Batterie- und Stromversorgungsspannungswächter
- Phasenrückkopplungskomparator
- MOSFET VDS und RSense Überstromüberwachung
- MOSFET VGS Gate-Fehlerüberwachung
- Überhitzungswarnung und Abschaltung des Geräts
- Pin zur Fehlerzustandsanzeige
Applikationen
- Haushaltsgeräte, kabellose Garten- und Elektrowerkzeuge sowie Rasenmäher
- Bürstenlose DC-Motormodule (BLDC) und PMSM
- Lüfter, Pumpen und Servoantriebe
- E-Bikes, E-Scooter und E-Mobilität
- Kabellose Staubsauger
- Drohnen, Industrie- und Logistikroboter sowie RC-Spielzeug
Datenblätter
Vereinfachtes Schaltschema
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