Texas Instruments DRV8329AEVM Gate-Treiber-Evaluierungsmodul
Das Texas Instruments DRV8329AEVM Gate-Treiber-Evaluierungsmodul (EVM) ist eine bürstenlose 30-A-Dreiphasen-DC-Antriebsstufe, die auf dem DRV8329A Gate-Treiber für BLDC-Motoren basiert. Der DRV8329 enthält drei Dioden für den Bootstrap-Betrieb, ohne dass externe Dioden erforderlich sind. Das Bauteil enthält einen Strom-Dhunt-Verstärker für die Low-Side-Strommessung, einen 80-mA-LDO, einen Totzeit-Steuerpin, einen VDS-Überstrompegel-Pin und einen Gate-Treiber-Abschaltpin. Das Evaluierungsmodul enthält Schalter, Potentiometer und Widerstände zur Evaluierung dieser Einstellungen und zur Konfigurierbarkeit der A-Ausführung (6 x PWM) und B-Ausführung (3 x PWM) des DRV8329 Bauteils.
Das Evaluierungsmodul kann mit bis zu 60 V versorgt werden und der integrierte LDO im DRV8329 erzeugt die Gate-Spannung, die für die Bootstrap-GVDD-Versorgung erforderlich ist. Status-LEDs für alle Netzteile und eine Fehler-LED sind für Benutzerrückmeldungen enthalten. Das C2000 Launchpad (LAUNCHXL-F280049C) ist für dieses Kit erforderlich. Es steuert den DRV8329AEVM von Texas Instruments mit einem sensorischen trapezförmigen Algorithmus und überwacht und meldet Fehler.
Merkmale
- 4,5-V- bis 60-V-Betrieb, 30 A Spitzenausgangsstrom der H-Brücke
- On-Board-Shunt für kombinierte Low-Side-Quellenstrommessung
- Konfigurierbarkeit für A- und B-Ausführungen des DRV8329
- Das Board enthält LEDs und Fehler-LEDs für die Benutzerrückmeldung
- Schalter, Widerstände und Potentiometer zur Steuerung von Geschwindigkeit, Totzeit, VDSLVL und Abschaltung des Gate-Treibers
- C2000 (LAUNCHXL-F280049C) sensorische trapezförmige Firmware und GUI sind verfügbar
Board-Layout
Verwandte Development Tools
Texas Instruments LAUNCHXL-F280049C LaunchPad Development Kit
Kostengünstiges Evaluierungs- und Development-Tool für die Piccolo F28004x-Baureihe (einschließlich InstaSPIN-FOC).
Verwandte Produkte
Texas Instruments DRV8329/DRV8329-Q1 Dreiphasige BLDC-Gate-Treiber
Mit drei Bauteilen, die jeweils High-Side- und Low-Side-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern können.