STMicroelectronics EVLMG4LPWRBR1 GaN-basiertes Halbbrücken-Leistungsmodul

Das EVLMG4LPWRBR1 GaN-basierte Halbbrücken-Leistungsmodul von STMicroelectronics ist mit dem MASTERGAN4L ausgestattet, der schnell Topologien erzeugt, ohne dass ein vollständiges PCB-Design erforderlich ist. Das breite 30 mm x 40 mm FR-4 PCB-Modul ist für den Betrieb in einer LLC-Applikation fein abgestimmt und bietet low-side-Widerstände, die auf Null eingestellt sind, sowie zwei externe Bodydioden, die parallel mit jedem Halbbrücken-GaN verbunden sind. Das Modul kann auch ganz einfach in Applikationen mit aktiver Klemme oder resonantem Spitzenstrommodus mit Flyback arbeiten, wenn der Low-Side-Messwiderstand ordnungsgemäß angepasst und die parallelen Dioden entfernt werden.

Zwei alternative 6V Linearregler sind in die PCB integriert: ein einfacher, kostengünstiger Regler und ein präziserer temperaturunabhängiger Regler. Dank der externen Bootstrap-Diode und des Kondensators wird eine ordnungsgemäße Versorgung für VCC, PVCC und Vbo bereitgestellt. Das Modul akzeptiert nur separate Treibersignale und die Verzögerungszeit kann durch Anpassung eines dedizierten RC-Filters moduliert werden.

Merkmale

  • GaN-Halbbrücken-Tochterboard, das mit dem MASTERGAN4L ausgestattet ist und sich für Leistungsapplikationen eignet, die eine schnelle Aktivierungszeit erfordern
  • Integrierte, unabhängig voneinander einstellbare Totzeiten für LIN- und HIN-Signale
  • Integrierte alternative Option für 6 V
  • Diskrete Bootstrap-Diode und Kondensator für Hochfrequenzlösungen
  • Einstellbarer Low-Side-Shunt für Spitzenstrommodus-Steueralgorithmen
  • Externe parallele Bodydioden zur Erfüllung der LLC-Applikationsanforderungen
  • 45 °C/W thermischer Widerstand zwischen Sperrschicht und Umgebung (ohne forcierte Luftströmung) zur Evaluierung großer Leistungstopologien
  • 30 mm x 40 mm Breite FR-4 PCB
  • RoHS-konform

Applikationen

  • LLC/High-End-Unterhaltungselektronik
  • Aktive Klemme oder resonanter Spitzenstrommodus mit Flyback

Schaltplan

STMicroelectronics EVLMG4LPWRBR1 GaN-basiertes Halbbrücken-Leistungsmodul
Veröffentlichungsdatum: 2023-11-06 | Aktualisiert: 2023-12-04