STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015 Demonstrationsboard
Das STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015 Demonstrationsboard ermöglicht Benutzern die Evaluierung des STDRIVEG600 Hochgeschwindigkeits-Halbbrücken-Gate-Treibers. Der STDRIVEG600 ist für die Ansteuerung von GaN-HEMTs mit hoher Spannungserhöhung optimiert. Das Bauteil verfügt über eine integrierte Bootstrap-Diode und versorgt externe Schalter mit bis zu 20 V, wobei der Unterspannungsschutz auf GaN-HEMTs zugeschnitten ist.
Das EVSTDRIVEG60015 Board von STMicro ist benutzerfreundlich und schnell anpassbar zur Evaluierung der Eigenschaften des STDRIVEG600, der die SGT120R65AL 650 V 75 mΩ-E-Modus-GaN-Schalter ansteuert. Das Board verfügt über einen programmierbaren Totzeitgenerator und einen linearen 3,3-V-Spannungsregler zur Versorgung externer Logikcontroller wie Mikrocontroller.
Enthaltene Ersatz-Footprints unterstützen die Anpassung des Boards für die endgültige Applikation, wie z. B. separate LIN- und HIN-Eingangssignale oder ein einzelnes PWM-signal, die Verwendung einer optionalen externen Bootstrap-Diode, eine individuelle Versorgung für VCC, PVCC oder BOOT und die Verwendung eines Low-Side-Querwiderstands für Spitzenstrommodus-Topologien. Der EVSTDRIVEG60015 ist eine 50 mm x 70 mm breiteFR-4-PCB, die zu +25°C/W R th (J StripA) bei stehender Luft führt.
Zugehörige Produkte
STMicroelectronics STDRIVEG600 Halbbrücken-Gate-Treiber
Einzelchip-Halbbrücken-gate-Treiber für Anreicherungstyp-GaN-FETs oder n-Kanal-Leistungs-MOSFETs.
Versorgungs- und Signalverbindung
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